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我校极化材料与器件教育部重点实验室建设计划专家论证会召开
作者:朱小蓉  日期:2008年8月8日

    

 
    7月25日,教育部科技司组织专家组在我校闵行校区对极化材料与器件教育部重点实验室的建设计划进行了可行性论证。我校党委书记张济顺出席会议并致欢迎词。参加会议的还有教育部科技司基础处处长李渝红、我校校长助理朱自强教授、信息科学技术学院院长褚君浩院士、科技处处长孙真荣教授、极化材料与器件教育部重点实验室相关骨干研究人员等。
极化材料与器件教育部重点实验室依托华东师范大学,于2007年底获得教育部批复成立。在985211计划建设下,瞄准国家信息产业和技术发展的战略需求,围绕极化材料与器件的研究与发展目标,确立了窄带禁和稀磁半导体的自旋极化物理电子学、铁电薄膜和宽带隙半导体的极化效应、新型微纳极化电子器件和硅基集成、极化效应和凝聚态光电子信息获取学科交叉等,设置了十个有特色的研究单元,在褚君浩院士的带领下,形成了由国家杰出青年、教育部新(跨)世纪优秀人才、中科院百人计划、华东师范大学紫江特聘教授等优秀青年学者组成的结构合理、充满活力和较高学术水平的和谐团队。
专家组听取了实验室主任朱自强教授的建设计划报告,并现场考察了实验室,经过交流和认真讨论认为,极化材料与器件教育部重点实验室建设期的预期目标和研究方向明确,特色鲜明;培养和引进人才计划任务合理;已有和计划配置的仪器设备等配套设施能够满足实验室开展科学研究的需求;制定的管理和开放交流等有关制度科学合理规范。专家组一致同意通过论证。
 

信息来源:信息科学与技术学院  
 
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